{"id":697,"date":"2026-07-12T09:55:01","date_gmt":"2026-07-12T09:55:01","guid":{"rendered":"https:\/\/www.linsycopper.com\/?p=697"},"modified":"2026-07-12T10:31:39","modified_gmt":"2026-07-12T10:31:39","slug":"c11000-vs-c10200","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.linsycopper.com\/de\/blog\/c11000-vs-c10200\/","title":{"rendered":"C11000 vs. C10200: Welche Reinkupfer-Qualit\u00e4t passt zu Ihrem Prozess?"},"content":{"rendered":"

Bei der Auswahl von Reinkupfer l\u00e4uft der Vergleich fast immer auf C11000 (ETP) versus C10200 (sauerstofffrei) hinaus. Elektrisch und thermisch sind sie nahezu identisch. Die Entscheidung h\u00e4ngt von einem Element ab \u2014 Sauerstoff \u2014 und davon, ob der Herstellungsprozess Wasserstoff bei erh\u00f6hter Temperatur beinhaltet.<\/p>\n\n\n\n

In den meisten Anwendungen bietet C11000 eine gleichwertige Leistung zu geringeren Kosten. Aber w\u00e4hlt man die falsche Sorte f\u00fcr die falsche Umgebung, verursacht Wasserstoffverspr\u00f6dung Ausf\u00e4lle, die keine Nachbearbeitung r\u00fcckg\u00e4ngig machen kann.<\/p>\n\n\n\n

Was sind C11000 und C10200?<\/h2>\n\n\n\n
\"\"<\/figure>\n\n\n\n

C11000 \u2014 Elektrolytkupfer (ETP)<\/h3>\n\n\n\n

Mindestens 99,90\u202f% Kupfer, mit einem kontrollierten Sauerstoffgehalt von 0,02\u20130,04\u202f%. Der Sauerstoff ist beabsichtigt \u2014 er bindet Verunreinigungselemente als Oxide und verbessert so die elektrische Leitf\u00e4higkeit. ETP-Kupfer macht die \u00fcberwiegende Mehrheit von Kupfersammelschienen, Dr\u00e4hten und allgemeinen elektrischen Anwendungen aus.<\/p>\n\n\n\n

C10200 \u2014 Sauerstofffreies (OF) Kupfer<\/h3>\n\n\n\n

Mindestens 99,95\u202f% Kupfer, mit einem Sauerstoffgehalt unter 0,001\u202f% (10 ppm). Hergestellt unter kontrollierter Atmosph\u00e4re, um eine Sauerstoffaufnahme w\u00e4hrend des Gie\u00dfens zu verhindern. Der nahezu null Sauerstoffgehalt verleiht C10200 seine Best\u00e4ndigkeit gegen Wasserstoffverspr\u00f6dung und seine \u00fcberlegene Leistung beim Hochtemperaturl\u00f6ten und -schwei\u00dfen.<\/p>\n\n\n\n

Chemische Zusammensetzung \u2014 Der Sauerstoffunterschied<\/h2>\n\n\n\n
Element<\/strong><\/th>C11000 (ETP)<\/strong><\/th>C10200 (OF)<\/strong><\/th><\/tr>
Cu (min.)<\/td>99.90%<\/td>99.95%<\/td><\/tr>
Sauerstoff<\/td>0.02 \u2013 0.04%<\/td>\u2264 0,001\u202f% (10 ppm)<\/td><\/tr>
Gesamtverunreinigungen<\/td>\u2264 0,10\u202f%<\/td>\u2264 0,05\u202f%<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

Die 0,02\u20130,04\u202f% Sauerstoff in C11000 sind keine Verunreinigung \u2014 sie sind ein bewusster Zusatz. W\u00e4hrend der Erstarrung reagiert Sauerstoff mit restlichem Wasserstoff zu Dampf (H\u2082O) und verhindert so Porosit\u00e4t. Aber derselbe Sauerstoff wird in wasserstoffreicher Umgebung zum Nachteil, wo er innere Dampfblasen entlang der Korngrenzen bildet.<\/p>\n\n\n\n

Die Sauerstoffgrenze von C10200 von 0,001\u202f% ist die Schwelle, ab der Wasserstoffverspr\u00f6dung praktisch kein Problem mehr darstellt. Aus diesem Grund wird OF-Kupfer auch f\u00fcr Vakuumanwendungen spezifiziert \u2014 es gibt nichts, was bei hoher Temperatur ausgasen k\u00f6nnte.<\/p>\n\n\n\n

Vergleich der elektrischen Leitf\u00e4higkeit<\/h2>\n\n\n\n
Legierung<\/strong><\/th>% IACS (gegl\u00fcht)<\/strong><\/th><\/tr>
C11000<\/td>100 \u2013 101<\/td><\/tr>
C10200<\/td>100 \u2013 101<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

Im gegl\u00fchten Zustand liefern beide Sorten 100\u202f% IACS oder geringf\u00fcgig mehr. Die praktische elektrische Leistung ist identisch. Wenn ein Lieferant behauptet, C10200 sei \u201cleitf\u00e4higer\u201d als C11000, verkauft er sauerstofffreies Kupfer mit einem nicht existierenden elektrischen Vorteil.<\/p>\n\n\n\n

Der Leitf\u00e4higkeitsunterschied tritt nur im kaltverformten Zustand auf. C11000 verliert nach der Kaltverformung geringf\u00fcgig mehr Leitf\u00e4higkeit als C10200, da der Sauerstoffgehalt die Versetzungsdichte beeinflusst. Der Unterschied betr\u00e4gt typischerweise 1\u20132\u202f% IACS \u2014 im Labor messbar, aber f\u00fcr die Sammelschienenauslegung irrelevant. Bei Standard-Sammelschienen- und Transformatorenwicklungsanwendungen ist die Leitf\u00e4higkeit nicht der Grund, C10200 gegen\u00fcber C11000 zu w\u00e4hlen.<\/p>\n\n\n\n

Mechanische Eigenschaften<\/h2>\n\n\n\n
\"\"<\/figure>\n\n\n\n
Eigenschaft<\/strong><\/th>C11000 (gegl\u00fcht)<\/strong><\/th>C10200 (gegl\u00fcht)<\/strong><\/th><\/tr>
Zugfestigkeit (MPa)<\/td>220 \u2013 250<\/td>220 \u2013 250<\/td><\/tr>
Streckgrenze (MPa)<\/td>69 \u2013 75<\/td>69 \u2013 75<\/td><\/tr>
Dehnung (%)<\/td>45 \u2013 50<\/td>45 \u2013 50<\/td><\/tr>
H\u00e4rte (Rockwell F)<\/td>40 \u2013 50<\/td>40 \u2013 50<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

Mechanisch sind die beiden Sorten austauschbar. Beide gl\u00fchen bei \u00e4hnlichen Temperaturen (370\u2013650 \u00b0C) und kaltverfestigen mit \u00e4hnlicher Geschwindigkeit. Wenn die einzigen Anforderungen Verformbarkeit und Festigkeit sind, gibt es keinen funktionalen Unterschied.<\/p>\n\n\n\n

W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit und thermische Leistung<\/h2>\n\n\n\n
Legierung<\/strong><\/th>W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit (W\/m\u00b7K)<\/strong><\/th><\/tr>
C11000<\/td>388 \u2013 391<\/td><\/tr>
C10200<\/td>388 \u2013 391<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

Dieselbe Geschichte wie bei der elektrischen Leitf\u00e4higkeit: Der Unterschied ist ein Rundungsfehler. Konstruieren Sie K\u00fchlk\u00f6rper, Dampfkammern oder W\u00e4rmemanagementsysteme mit C11000, es sei denn, der Herstellungsprozess selbst erfordert sauerstofffreies Material (z. B. Vakuuml\u00f6ten in einer Wasserstoffatmosph\u00e4re).<\/p>\n\n\n\n

Wasserstoffverspr\u00f6dung \u2014 Das entscheidende Unterscheidungsmerkmal<\/h2>\n\n\n\n

Dies ist der mit Abstand wichtigste Grund, C10200 gegen\u00fcber C11000 zu w\u00e4hlen.<\/p>\n\n\n\n

\"\"<\/figure>\n\n\n\n

Der Versagensmechanismus:<\/strong><\/p>\n\n\n\n

Wenn C11000 (mit 0,02\u20130,04\u202f% O\u2082) \u00fcber etwa 370 \u00b0C in einer wasserstoffhaltigen Atmosph\u00e4re erhitzt wird, diffundiert Wasserstoff in das Kupfer und reagiert mit den inneren Kupfer(I)-oxid-Partikeln (Cu\u2082O) zu Dampf (H\u2082O). Der Dampfdruck bricht das Kupfer entlang der Korngrenzen. Dies wird als \u201cWasserstoffverspr\u00f6dung\u201d oder \u201cDampfverspr\u00f6dung\u201d bezeichnet, und sobald es passiert ist, ist das Material Schrott. Keine W\u00e4rmebehandlung oder Schwei\u00dfreparatur kann es r\u00fcckg\u00e4ngig machen.<\/p>\n\n\n\n

Go\/No-Go-Regel:<\/strong><\/p>\n\n\n\n